Школы моделей в Красноярске с адресами, отзывами и фото

8 мест

• школы моделей — мы нашли для вас 8 учебных центров в городе Красноярске;
• актуальная информация об услугах в Красноярске, удобный поиск;
• школы моделей — адреса на карте, отзывы с рейтингом и фотографиями.

творческие курсы

Метро, район

Рейтинг

Акции

Есть акции

Онлайн-запись

Рядом со мной

Круглосуточно

Открыто сейчас

Будет открыто ещё 2 часа

С отзывами

С фото

Рейтинг 4+

Сортировка

• 7292″ data-ev_label=»standard»>
• ca04″ data-ev_label=»standard»>

Больше нет мест, соответствующих условиям фильтров

• Школы моделей в Красноярске — у каких учебных центров самый высокий рейтинг?

  Пользователи Zoon. ru наиболее положительно оценили STARS умники, IRIS.

• Можно ли доверять отзывам о учебных центрах на Zoon.ru?

  Да! Каждый день мы фильтруем до 20 тыс. отзывов и удаляем найденные фейки и спам.

Рекомендуем также

DOLCE VITA (модельная школа) в Красноярске, ул. Карла Маркса, 73А

Е

Екатерина Александровна Будникова…

7 отзывов

20 месяцев назад

★
★
★
★
★

2

О

Ольга Геннадьевна Мелешко

1 отзыв

20 месяцев назад

★
★
★
★
★

5

C

chupakabra

1 отзыв

21 месяц назад

★
★
★
★
★

5

S

salieva jasmin

1 отзыв

22 месяца назад

★
★
★
★
★

5

Ф

Федор Деревягин

1 отзыв

22 месяца назад

★
★
★
★
★

1

Ш

Шырын Харькова

1 отзыв

23 месяца назад

★
★
★
★
★

5

P

Paulina Sibrina

1 отзыв

2 года назад

★
★
★
★
★

1

М

Мария Йолтуховская

2 отзыва

2 года назад

★
★
★
★
★

4

У меня брат заниматься в данной школе.
Обучение хорошеее, есть результат «до» и «после», ходим на открытые уроки, довольны педагогами по актёрскому мастерству и психологии — Владимир Москаленко, Сербаева Юлия.
Если со стороны ребенка, ему нравится, говорит внимательные наставники.)
Теперь ждём выпускного вечера!

10

Ответить

Институт вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск, Россия

Организации: Институт вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск , Россия

Моделирование характеристик электропроводящих нанофильтрационных мембран

. 2023 12 июня; 13 (6): 596.

doi: 10.3390/membranes13060596.

Капитонов Алексей А
¹

2
, Илья I Рыжков
¹

2

Принадлежности

• ¹ Институт вычислительного моделирования СО РАН, Академгородок, 50-44, 660036 Красноярск, Россия.
• ² Факультет космических и информационных технологий Сибирского федерального университета, ул. Свободный, 79, 660041 Красноярск, Россия.

• PMID:

  37367800

• PMCID:

  PMC10305182

• DOI:

  10. 3390/мембраны13060596

Бесплатная статья ЧВК

Капитонов Алексей А и др.

Мембраны (Базель).

2023 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2023 12 июня; 13 (6): 596.

doi: 10.3390/membranes13060596.

Авторы

Капитонов Алексей А
¹

2
, Илья I Рыжков
¹

2

Принадлежности

• ¹ Институт вычислительного моделирования СО РАН, Академгородок, 50-44, 660036 Красноярск, Россия.
• ² Факультет космических и информационных технологий Сибирского федерального университета, ул. Свободный, 79, 660041 Красноярск, Россия.

• PMID:

  37367800

• PMCID:

  PMC10305182

• DOI:

  10.3390/мембраны13060596

Абстрактный

Электропроводящие мембраны представляют собой класс материалов, реагирующих на раздражители, которые позволяют регулировать селективность и отторжение заряженных частиц путем изменения поверхностного потенциала. Электрическая поддержка обеспечивает мощный инструмент для преодоления компромисса между селективностью и проницаемостью из-за его взаимодействия с заряженными растворенными веществами, что позволяет проходить нейтральным молекулам растворителя. В данной работе предложена математическая модель нанофильтрации бинарных водных электролитов электропроводящей мембраной. Модель учитывает как стерическое, так и доннановское исключение заряженных частиц из-за одновременного присутствия химических и электронных поверхностных зарядов. Показано, что отторжение достигает минимума при потенциале нулевого заряда (ПЗЗ), где электронный и химический заряды компенсируют друг друга. Отторжение увеличивается при изменении поверхностного потенциала в положительном и отрицательном направлениях по отношению к PZC. Предложенная модель успешно применяется для описания экспериментальных данных по задержанию солей и анионных красителей нанофильтрационными мембранами ПАНи-ПСС/УНТ и MXene/УНТ. Полученные результаты позволяют по-новому взглянуть на механизмы селективности проводящих мембран и могут быть использованы для описания процессов нанофильтрации с электрическим усилением.

Ключевые слова:

электропроводящая мембрана; ионная селективность; математическое моделирование; нанофильтрация.

Заявление о конфликте интересов

w3.org/1999/xlink» xmlns:mml=»http://www.w3.org/1998/Math/MathML» xmlns:p1=»http://pubmed.gov/pub-one»> Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Цифры

Рисунок 1

( a ) Нанопора…

Рисунок 1

( a ) Нанопора, соединяющая входную и пермеатную стороны. ( б )…

Рисунок 1

( a ) Нанопора, соединяющая входную и пермеатную стороны. ( b ) Схема двойного электрического слоя в нанопоре.

Рисунок 2

Зависимость отбраковки (…

Рисунок 2

Зависимость отторжения ( a ), объемной плотности заряда мембраны ( b…

фигура 2

Зависимость отторжения ( а ), плотности объемного заряда мембраны ( b ), трансмембранного потока ( c ) и мембранного потенциала ( d ) от потенциала, приложенного к поверхности мембраны, при различных значениях Штерна объемная емкость слоя.

Рисунок 3

Зависимость отбраковки (…

Рисунок 3

Зависимость отторжения ( a ) и трансмембранного потока ( b )…

Рисунок 3

Зависимость отторжения ( a ) и трансмембранного потока ( b ) от приложенного перепада давления для различных значений поверхностного потенциала.

Рисунок 5

Зависимость отказа от…

Рисунок 5

Зависимость отторжения от потенциала, приложенного к поверхности мембраны для…

Рисунок 5

Зависимость задерживания от приложенного к поверхности мембраны потенциала для двух водных растворов солей ( и ). Изменение плотности объемного заряда мембраны в зависимости от поверхностного потенциала ( b ). Экспериментальные данные (точки) [23] и модельные расчеты (сплошные кривые).

Рисунок 4

Зависимость отбраковки (…

Рисунок 4

Зависимость отторжения ( a ), плотности объемного заряда мембраны ( б…

Рисунок 4

Зависимость отторжения ( a ), объемной плотности заряда мембраны ( b ), трансмембранного потока ( c ) и усредненного потенциала диффузного слоя ( d ) от потенциала, приложенного к поверхности мембраны, для различных значений плотности химического заряда.

Рисунок 6

Вариант отказа с…

Рисунок 6

Изменение браковки в зависимости от концентрации NaCl в подаче для разных значений…

Рисунок 6

Вариация отклонения при подаче концентрации NaCl при различных значениях потенциала, подаваемого на мембрану. Экспериментальные данные (точки) [23] и модельные расчеты (сплошные кривые).

Рисунок 7

Зависимость отказа от…

Рисунок 7

Зависимость отторжения от потенциала, приложенного к поверхности мембраны для…

Рисунок 7

Зависимость задерживания от приложенного к поверхности мембраны потенциала для водных растворов метилового оранжевого (МО) и оранжевого G (ОГ) ( a ). Изменение плотности объемного заряда мембраны в зависимости от поверхностного потенциала ( b ). Экспериментальные данные (точки) [25] и модельные расчеты (сплошные кривые).

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Рекомендации

1. 1. Стратманн Х. Введение в мембранную науку и технологию. Вайли–ВЧ; Вайнхайм, Германия: 2011.

2. 1. Мохаммад А.В., Теоу Ю.Х., Анг В.Л., Чанг Ю.Т., Оатли-Рэдклифф Д.Л., Хилал Н. Обзор мембран для нанофильтрации: последние достижения и перспективы на будущее. Опреснение. 2015; 356: 226–254. doi: 10.1016/j.desal.2014.10.043.

      —

      DOI

3. 1. Волков В.В., Мчедлишвили Б.В., Ролдугин В.И., Иванчев С.С., Ярославцев А.Б. Мембраны и нанотехнологии. Нанотех. Россия. 2008; 3: 656–687. дои: 10.1134/S1995078008110025.

      —

      DOI

4. 1. Чжан Х.